大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于2nm生产线的问题，于是小编就整理了3个相关介绍2nm生产线的解答，让我们一起看看吧。
光刻机能刻出超过自己纳米级别的芯片吗？数亿美元，用一年就扔？
一台光刻机并不是只能胜任一个工艺节点，而是可以胜任多个工艺节点，决定一台光刻机可以制造什么工艺的芯片，关键是看光刻机的波长，比如193nm浸入式光刻机可以制造14nm乃至28nm工艺的芯片，而如果你想制造7nm和5nm芯片，那么最好就要上极紫外光刻技术了，支持EUV的光刻机波长为13.5nm。
当然，一台光刻机的寿命也不仅仅在于一两代芯片，如果用193nm深紫外光刻机也是可以做到10nm乃至7nm芯片的生产的，只是工艺难度实现起来相对复杂，成本较高，比如***用自对准四次成型技术，就可以得到更加致密的结构，不过因为芯片层级的工艺变得复杂，需要更多掩模版和材料，所以用193nm光刻机生产7nm芯片非常不划算，所以到了这个程度必须上EUV光刻机。
一台先进光刻机价格不菲，上亿美元非常正常，目前手机芯片都进入了7nm时代，难道过去用的非EUV光刻机就要淘汰了吗？其实不会，因为不是所有的芯片都需要最先进的工艺制程，比如工业类的芯片，存储类芯片就可以用相对落后一些的工艺进行生产，这时候被“淘汰”的光刻机自然还可以发挥用途，只是用来生产的芯片类型不同而已，其实目前28nm和45nm芯片仍然有不小的市场占有率，所以即使是多年前老旧的光刻机也可以发挥很多年的作用。
你以为只有手机电脑用芯片啊？电梯就没有了？指纹锁给你用5纳米的芯片有意义吗？似乎现在还有微米级的芯片生产呢！手机主芯片升级，设备就转去次级芯片，再转更低级的芯片生产！所有行业都是这样升级换代的！
28纳米的光刻机可以通过多重曝光技术制作14纳米，12纳米，10纳米，7纳米的芯片。
中国现在量产普及的光刻机是90纳米，也就是我们凭自己的光刻机可以做65纳米芯片。65纳米光刻机已经成功，还没有量产，如果65纳米量产了，28纳米以上芯片我们都没问题了。
28纳米光刻机我们关键部件都已经突破，最好的情况一两年内会出产品，28纳米光刻机突破，我们最多可以生产7纳米的芯片。
***用多重曝光提升工艺会显著增加成本。所以我们必须突破极紫外光刻机，希望能够在十年之内突破。
先需要澄清一个问题，
那就是光刻机不是以28nm，14nm，7nm这些工艺节点来命名的;而是以波长来命名的，
例如常说的28nm，14nm工艺的光刻机一般叫193nm浸入式光刻机，而目前最先进的7nm，5nm工艺的光刻机（只有部分工艺）就是大名鼎鼎的EUV光刻机，这里EUV的英文意思是极紫外光，波长为13.5nm
接下来再回答你的问题，答案是光刻机可以刻出超过自己纳米的精度（***定你说的光刻机自己的精度是指它的波长）。
对于一台193nm波长的浸入式光刻机而言，其目前的极限精度是36nm，当然这还要和一系列其他技术相配合;
而对于13.5nm波长的EUV光刻机而言，2nm对它来说没什么问题
所以光刻机可以很容易实现比自己波长还小5倍的精度
光刻机的光学曝光系统是不允许设备超过自己纳米级别的芯片的。
元器件种类很多，并不是所有的器件都需要最高精度的光刻机生产线的。一般一个大的代工厂，会布局好几代制程工艺生产线。
按照对光刻机制程工艺的要求可以分为：
最高制程工艺：消费级的主芯片，存储器
中等高级制程工艺：工业类的主芯片，高精度的ADC 运放等
低等制程工艺：模拟器件
最差等制程工艺：被动器件
所以代工厂会根据用户要代工的产品情况，来选择用哪种产线更合适。最新的制程工艺上线以后，原来的就用于其他元器件的生产，一般不会浪费的，对于最末端的产线，要么卖给低端代工厂或者拆掉，但是那时都是已经早就收回成本了。
中国芯片如何赶上世界先进水平？
我觉得不能和别人比科技研发速度，本身我们就是追赶的，但是我们可以比成长速度，比质量！扎扎实实地做好功课，突围的可能性就是人有我优；这个优不一定是工艺制程上到1nm工艺的事情，更多是和同级别的7nm、5nm芯片对比，我可以做得更好！虽然可能到了1NM上市的时候，中国继续主流还是7nm或者5nm；但是核心的问题就是这些芯片拿在一些应用场景够用就可以。虽然1NM是增加了芯片的运算速度的先天条件！
近日，ASML公司光刻机的研发再传捷报。ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE：3400B和3400C，预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，三星和台积电的3nm工艺制程将会主要使用这款光刻机。在3600D之后，ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，第三代光刻机的交货时间预计在2022年以后了，大规模商业的时间甚至要到2025年前后了。但值得注意的是第三代光刻机将用在2nm工艺制程上，甚至是1nm。
但是我们也知道在今年5nm的工艺当中，无论是苹果的A14处理器、华为麒麟9000处理器、高通骁***88处理器都有一定的程度翻车现象，例如功耗控制和发热控制的问题！所以你看天玑系列是用的6nm工艺，而后来高通发布的骁***70是7nm工艺；说明同一个时期，虽然骁***70和骁***88有点差别，但是差别不会那么大，说明如今的技术下制程工艺和处理器速度不会拉开太大的距离！
那么如何在制程工艺进步缓慢的情况下，在处理性能和速度上以及对于芯片的稳定发挥上下功夫。同时在适配相同的设备的时候，都能很好地运行，可以稍逊一筹，但是不能没有任何的竞争优势，这就是我对于中国芯片的期望值！
中国不能好高骛远，当务之急是发展芯片中高端产业链，这一步坐实了，我们就进可攻退可守，立于不败之地，国家的战略需求和民用卡脖子问题就极大缓解了。高端芯片除了不成熟外，市场和战略价值也相对不大不紧迫，对我们威胁不大。七纳米以下只有三星和台积电在重点发展，因特尔等巨头并没有足够重视，也可见一斑。拿数控机床对比，我们现在占领了中高端，就显得非常从容，高端是要发展，但已非重中之重。
目前阶段不太可能，虽然我特希望中国的科技行业早日领先世界，但现实不能脱离，饭要一口一口吃，尤其是我们现在的基础材料和基础软件问题，才是最严重的，一旦软件和材料人家卡了脖子，那才是最要命的，所以现在科技之路任重道远，我们确实太缺少数学家，物理学家了，联想到我们的教育问题该怎么培养数学天才，物理天才呢？这可能是深一步的问题。返回中芯国际，我个人认为中国最起码要再做一个芯片制造公司，尤其是瞄准国产供应链，国家控股不上市，保证国家安全。实际上我不太喜欢中芯国际，主要有以下几点:1.本次涨价，其实涨价无可厚非，也是正常的，但它除了现在已经在生产线上的外，对已经签订的合同全部涨价，这是否违反合同法？而且不管人家为此合同付了多少钱，只要没生产就涨价，严重的违法合同法，典型的资本家也没有几家吧，现在是卖方市场，但如此作为会给商家及世界留下什么印象呢？2.卡脖子，以及高端光刻机没有办法得到，直接导致了中芯国际在芯片制造领域始终是一个二流甚至三流。3.随着中国芯片制造供应商的崛起，尤其是国产光刻机或者碳基芯片突破后，国家势必要再造一家国家绝对控股的公司，国家的根本大计怎么能掌握在资本手里呢？所以当中国科技崛起时，中芯国际在国内也不会是最好的。
芯片不可能发展到1nm。因为硅原子直径只有0.24nm，在1nm的情况下，电子隧道效应将使得硅不再呈现半导体性质，无法制作成为集成电路芯片使用。
关于光刻技术与光刻机、以及中国应该如何办，2021年3月26日西安电子科技大学广州研究院90周年西电校庆专题报告会上，我将有一个简单的专题发言谈谈自己的看法，西电广研院已发布宣传广告。若有机会，欢迎到场互动；如果无法到场，也没关系，会后，我将在《今日头条》上就光刻技术与光刻机问题办一个更简单一些的连续科普讲座。欢迎关注。
1nm制程芯片还是预想阶段。1nm栅极漏电特性能不能解决，离子注入工艺能不能跟上？光刻的衍射极限能不能克服都是未知。亚微微米级真是硅基芯片的瓶颈。
而中国高制程芯片应该向薄膜芯片进军，薄膜芯片使得立体芯片成为可能。
世界最重要的技术有哪些？我国和美国分别在哪些方面在世界前列？
一、军工技术
全球只有中国有氢弹，美国没有。
航母，美国领先中国两代，中国可能20年内超越美国。
洲际战略导弹，中国有东风快递，美国差不多，但逊色于中国。
战略核潜艇，都有，中国稍逊色。
二、航天技术
中美同属第一阵营，美国略领先，中国可能20年内超越美国。
三、通讯技术
互联网技术美国领先，卫星导航技术平起平坐。
四、制药技术，美国领先。
你好，这个我因为知识方面的欠缺回答不好，我只知道美国军事方面很强，我们中国的5G、移动支付、高铁方面很超前，当然军事方面也不差，别的一概不知，很惭愧，对不起，感谢邀请！
到此，以上就是小编对于2nm生产线的问题就介绍到这了，希望介绍关于2nm生产线的3点解答对大家有用。
